注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IRF7381PBF
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF7381PBF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET 12VSingleN-ChannelHEXFETPowerMOSFETinaSO-8package
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IRF7381PBF详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF7381PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.84
Part Package Code
SOIC
Drain Current-Max (ID)
4.9 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.02916 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon IRF7381PBF.
IRF7381PBF拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)