Infineon IRF7410TRPBF-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

4000

Continuous Drain Current Id

16

RoHS

Non-Compliant

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Ta)

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7410TRPBF-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.16

Drain Current-Max (ID)

16 A

包装

Tape & Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8676 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

91 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

-12 V

Vgs（最大值）

±8V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

8 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16 A

漏极-源极导通最大电阻

0.007 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

65 A

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

场效应管特性

-

通态电阻

7 mΩ