IRF7413TRPBF-1详情
Infineon IRF7413TRPBF-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
8-SO
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
SG-8101
厂商
EPSON
Product Status
活跃
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A (Ta)
Moisture Sensitivity Levels
1
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF7413TRPBF-1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.08
操作温度
-40°C ~ 105°C
系列
SG-8101
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
电压 - 供电
1.8V ~ 3.3V
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
频率
16.32 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
CMOS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
Crystal
最大电流源
6.8mA (Typ)
电流 - 电源(禁用)(最大值)
3.5mA
配置
Single
扩频带宽
-
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11mOhm @ 7.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1800 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
79 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
绝对牵引范围 (APR)
-
场效应管特性
-
座位高度(最大)
0.055 (1.40mm)
评级结果
-
IRF7413TRPBF-1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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