IRF7416TRPBF-1详情
Infineon IRF7416TRPBF-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
包装数量
4000
RoHS
Compliant
Package
Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A (Ta)
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Product Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Levels
1
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IRF7416TRPBF-1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.15
包装
Tape & Reel
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
HEXFET®
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
技术
MOSFET (Metal Oxide)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
配置
Single
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 5.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.04V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1700 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
92 nC @ 10 V
上升时间
49 ns
漏源电压 (Vdss)
-30 V
Vgs(最大值)
±20V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
10 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
最大结点温度(Tj)
150 °C
场效应管特性
-
通态电阻
20 mΩ
IRF7416TRPBF-1拓展信息
Infineon Technologies
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