Infineon IRF7455TRPBF-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

SOP-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7455TRPBF-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.29

Drain Current-Max (ID)

15 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3480 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±12V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

场效应管特性

-