Infineon IRF7478QPBF

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

44 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7478QPBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.64

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

7 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

2.5 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5 W

接通延迟时间

7.7 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

2.6 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7 A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.026 Ω

漏源击穿电压

60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

双电源电压

60 V

输入电容

1.74 nF

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

30 mΩ

栅源电压

3 V

宽度

3.9878 mm

高度

1.4986 mm

长度

4.9784 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无