Infineon IRF7478TRPBF-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SO

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

,

Moisture Sensitivity Levels

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7478TRPBF-1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.29

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

配置

Single

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

26mOhm @ 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1740 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

场效应管特性

-