注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Infineon IRF7530TRPBF-EL

Name: IRF7530TRPBF-EL
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRF7530TRPBF-EL
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IRF7530TRPBF-EL

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRF7530TRPBF-EL

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

IRF7530TRPBF-EL Infineon Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

IRF7530TRPBF-EL详情

技术参数

PDF文档

Infineon IRF7530TRPBF-EL重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-G8
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number

IRF7530TRPBF-EL
Package Shape

SQUARE
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

2
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.68
Drain Current-Max (ID)

5.4 A
ECCN 代码

EAR99
附加功能

超低电阻
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

S-PDSO-G8
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A
DS 击穿电压-最小值

20 V
雪崩能量等级（Eas）

33 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

IRF7530TRPBF-EL拓展信息

热销零件