Infineon IRF7555PBF

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7555PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.83

Part Package Code

SOT

Drain Current-Max (ID)

4.3 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.055 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W