Infineon IRF7805ZTRPBF-1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

供应商器件包装

8-SOIC

包装数量

4000

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

RoHS

Compliant

Package Description

,

Moisture Sensitivity Levels

1

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7805ZTRPBF-1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.09

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

配置

Single

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8mOhm @ 16A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2080 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27 nC @ 4.5 V

上升时间

10 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

16 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

最大结点温度（Tj）

150 °C

场效应管特性

-

通态电阻

6.8 mΩ

达到SVHC

compliant