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技术文档
型号
IRF7831
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF7831
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
起订量
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IRF7831详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF7831重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Samacsys Description
HEXFETu0001 Power MOSFET
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
Risk Rank
3.63
Part Package Code
SOIC
Drain Current-Max (ID)
21 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0036 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
170 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon IRF7831.
IRF7831拓展信息
公司资质
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