Infineon IRF7862PBF

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

LEADFREE, SO-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRF7862PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 30nC

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

21 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0037 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

170 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W