Infineon IRF9140

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

MODIFIED TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF9140

Turn-on Time-Max (ton)

120 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-3

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Turn-off Time-Max (toff)

150 ns

Risk Rank

1.62

Drain Current-Max (ID)

18 A

JESD-609代码

e0

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

125 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

螺纹距离

11 mm

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

-100 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

19 A

阈值电压

-4 V

JEDEC-95代码

TO-204AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

漏极-源极导通最大电阻

0.23 Ω

漏源击穿电压

-100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A

双电源电压

-100 V

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

漏源电阻

200 mΩ

栅源电压

-4 V

通态电阻

200 mΩ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

含铅