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技术文档
型号
IRF9630STRRPBF
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRF9630STRRPBF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp
起订量
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IRF9630STRRPBF详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRF9630STRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Intertechnologies
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.04
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
6.5 A
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
26 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon IRF9630STRRPBF.
IRF9630STRRPBF拓展信息
公司资质
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