IRFAF40详情
Infineon IRFAF40重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
NO
供应商器件包装
0603
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Continuous Drain Current Id
4.3
Package Description
HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRFAF40
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.39
Part Package Code
TO-3
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
SG73S-RT
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
2.4 MOhms
端子表面处理
锡铅
组成
厚膜
功率(瓦特)
0.2W, 1/5W
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
COMMERCIAL
失败率
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-204AA
漏极-源极导通最大电阻
2.9 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
17 A
DS 击穿电压-最小值
900 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
530 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding
座位高度(最大)
0.022 (0.55mm)
评级结果
-
IRFAF40拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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