Infineon IRFAG50

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

TO-3, 2 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFAG50

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

5.6 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

正向电压

1.8 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

平均整流电流

5.6 A

反向恢复时间

1.2 µs

连续放电电流(ID)

3.5 A

最大重复反向电压(Vrrm)

1 kV

JEDEC-95代码

TO-204AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5.6 A

漏极-源极导通最大电阻

2.3 Ω

漏源击穿电压

1 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

860 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

辐射硬化

无

无铅

含铅