Infineon IRFBF30PBF

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Enclosure

TO 220

Manuf. code

INF

Max. operating temperature

+150°C

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

125W

Manufacturer

Infineon Technologies

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Drain Current-Max (ID)

3.6 A

Part Package Code

TO-220AB

Risk Rank

6.87

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Part Life Cycle Code

Transferred

Number of Elements

1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFBF30PBF

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

类型

N channel

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

3.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

900 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR