IRFC4229EB详情
Infineon IRFC4229EB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Die
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
Die
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
-
Product Status
Obsolete
Power Dissipation (Max)
-
厂商
Infineon Technologies
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
46A
Package
Bulk
系列
HEXFET®
操作温度
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
-
漏源电压 (Vdss)
250 V
Vgs(最大值)
-
场效应管特性
-
IRFC4229EB拓展信息
Infineon Technologies
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