Infineon IRFC7313B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Die

供应商器件包装

Die

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

Obsolete

操作温度

-

系列

HEXFET®

容差

2 %

终止次数

2

温度系数

150 ppm/°C

电阻

820 Ω

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

最大功率耗散

22 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

-

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

-

场效应管特性

-

特征

Moisture Resistant

宽度

3.1496 mm

高度

635 µm

长度

6.35 mm