Infineon IRFD1Z0

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

IN-LINE, R-PDIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Drain Current-Max (ID)

0.5 A

Risk Rank

5.8

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Harris Semiconductor

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IRFD1Z0

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5 A

漏极-源极导通最大电阻

2.4 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W