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Infineon IRFE210

Name: IRFE210
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRFE210
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFE210

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRFE210

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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IRFE210 Infineon Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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技术参数

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Infineon IRFE210重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

15
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

LCC4-15
Package Style

CHIP CARRIER
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

IRFE210
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

TT Electronics Resistors
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

TT ELECTRONICS PLC
Risk Rank

5.13
Drain Current-Max (ID)

1.8 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

QUAD
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-CQCC-N15
资历状况

不合格
操作模式

增强型MOSFET
漏极-源极导通最大电阻

1.725 Ω
DS 击穿电压-最小值

200 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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