Infineon IRFF120

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

2.4 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

TO-39, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFF120

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.44

Drain Current-Max (ID)

6 A

JESD-609代码

e0

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

20 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

引线长度

14.22 mm

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

20 W

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6 A

阈值电压

4 V

JEDEC-95代码

TO-205AF

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

0.35 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

双电源电压

100 V

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

0.242 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

漏源电阻

300 mΩ

栅源电压

4 V

通态电阻

300 mΩ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

含铅