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技术文档
型号
IRFF322
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRFF322
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
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IRFF322详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRFF322重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Style
CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.38
Drain Current-Max (ID)
2 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
2.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
技术文档: Infineon IRFF322.
IRFF322拓展信息
公司资质
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