IRFF9230
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Infineon IRFF9230

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型号

IRFF9230

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRFF9230

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN

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IRFF9230 Infineon Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN

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IRFF9230详情

Infineon IRFF9230重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 质量

    980 mg

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Turn Off Delay Time

    80 ns

  • Drain Current-Max (ID)

    4 A

  • Part Package Code

    BCY

  • Risk Rank

    5.29

  • Ihs Manufacturer

    SEMELAB LTD

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Manufacturer

    TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer Part Number

    IRFF9230

  • Rohs Code

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Package Body Material

    METAL

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • 无铅代码

  • 终端

    通孔

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    25 W

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 引线长度

    14.22 mm

  • 配置

    SINGLE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    25 W

  • 接通延迟时间

    50 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    -200 V

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    -4 A

  • JEDEC-95代码

    TO-205AF

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.8 Ω

  • 漏源击穿电压

    -200 V

  • 双电源电压

    -200 V

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 漏源电阻

    800 mΩ

  • 栅源电压

    -4 V

  • 通态电阻

    800 mΩ

  • 高度

    4.57 mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • 无铅

    含铅

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技术文档: Infineon IRFF9230.

IRFF9230拓展信息

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