Infineon IRFI520NPBF

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

32 ns

Package Description

LEAD FREE, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFI520NPBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

8.41

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

7.6 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

30 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

7.6 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

30 W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

4.5 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

23 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7.6 A

阈值电压

4 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.2 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38 A

双电源电压

100 V

输入电容

330 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

91 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

27 W

漏源电阻

200 mΩ

栅源电压

4 V

宽度

4.826 mm

高度

9.8044 mm

长度

10.6172 mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

无铅

无铅