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技术文档
型号
IRFJ320PBF
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRFJ320PBF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
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IRFJ320PBF详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRFJ320PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.39
Drain Current-Max (ID)
3 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-213AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
1.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
技术文档: Infineon IRFJ320PBF.
IRFJ320PBF拓展信息
公司资质
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