Infineon IRFM350

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFM350

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Risk Rank

5.12

Drain Current-Max (ID)

14 A

无铅代码

无

零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH VOLTAGE

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

ISOLATED

漏源电压 (Vdss)

400 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

14 A

JEDEC-95代码

TO-254AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.415 Ω

漏源击穿电压

400 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56 A

DS 击穿电压-最小值

400 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

315 mΩ

通态电阻

300 mΩ

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

含铅