IRFM360
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Infineon IRFM360

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型号

IRFM360

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRFM360

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

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IRFM360 Infineon Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

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IRFM360详情

Infineon IRFM360重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRFM360

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    TT Electronics Resistors

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    TT ELECTRONICS PLC

  • Risk Rank

    5.1

  • Drain Current-Max (ID)

    23 A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    PIN/PEG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    S-MSFM-P3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-254AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    400 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Infineon IRFM360.

IRFM360拓展信息

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