Infineon IRFN450

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFN450

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

12 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL-19500/592

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.515 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

750 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W