Infineon IRFNG40

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFNG40

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.18

Drain Current-Max (ID)

3.9 A

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

4.2 Ω

漏源击穿电压

1 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15.6 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

530 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

75 W

通态电阻

30.5 Ω

辐射硬化

无