IRFNG40SCX详情
Infineon IRFNG40SCX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Part Number
IRFNG40SCX
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.67
Drain Current-Max (ID)
3.9 A
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
125 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
2.5 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
4.2 Ω
漏源击穿电压
1 kV
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15.6 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
雪崩能量等级(Eas)
530 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
通态电阻
30.5 Ω
辐射硬化
无
IRFNG40SCX拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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