IRFNG50SCV详情
Infineon IRFNG50SCV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Manufacturer Part Number
IRFNG50SCV
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.67
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CDSO-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
3.5 A
漏极-源极导通最大电阻
2.25 Ω
漏源击穿电压
1 kV
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
DS 击穿电压-最小值
1000 V
雪崩能量等级(Eas)
860 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
辐射硬化
无
IRFNG50SCV拓展信息
Infineon Technologies
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