Infineon IRFPG50PBF

工厂交货时间

6 Weeks

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IRFPG50PBF

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Intertechnologies

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

N-channel MOSFET,IRFPG50 6.1A 1000V

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

0.73

Part Package Code

TO-247AC

Drain Current-Max (ID)

6.1 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AC

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.1 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

190 W