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技术文档
型号
IRFR3711ZCPBF
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRFR3711ZCPBF
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 4.5 Milliohms, ID 93A, D-Pak (TO-252AA), PD 79W
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IRFR3711ZCPBF详情
技术参数
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Infineon IRFR3711ZCPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
LEAD FREE, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.62
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
93 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.0057 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
370 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
140 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
79 W
达到SVHC
not_compliant
技术文档: Infineon IRFR3711ZCPBF.
IRFR3711ZCPBF拓展信息
公司资质
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