IRFY130
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Infineon IRFY130

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型号

IRFY130

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRFY130

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN

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IRFY130 Infineon Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN

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IRFY130详情

Infineon IRFY130重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRFY130

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SEMELAB LTD

  • Risk Rank

    5.07

  • Part Package Code

    TO-220M

  • Drain Current-Max (ID)

    11 A

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-MSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.22 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    44 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

IRFY130拓展信息

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