IRFY340CM详情
Infineon IRFY340CM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Package Description
HERMETIC SEALED, TO-257AA, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
T
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRFY340CM
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.11
Drain Current-Max (ID)
8.7 A
JESD-609代码
e0
零件状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
100 W
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
S-XSFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
100 W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
400 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
8.7 A
JEDEC-95代码
TO-257AA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8.7 A
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
漏源击穿电压
400 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
35 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
520 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
100 W
漏源电阻
550 mΩ
栅源电压
4 V
通态电阻
600 mΩ
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
IRFY340CM拓展信息
Infineon Technologies
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