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Infineon IRFY430CSCX

Name: IRFY430CSCX
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRFY430CSCX
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFY430CSCX

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRFY430CSCX

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB,

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IRFY430CSCX Infineon Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AB,

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IRFY430CSCX详情

技术参数

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Infineon IRFY430CSCX重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
引脚数

3
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
RoHS

Non-Compliant
Drain Current-Max (ID)

3.7 A
Risk Rank

5.26
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code

活跃
Number of Elements

1
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Package Shape

SQUARE
Manufacturer Part Number

IRFY430CSCX
Package Body Material

METAL
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
零件状态

Production (Last Updated: 2 years ago)
端子位置

SINGLE
终端形式

PIN/PEG
JESD-30代码

S-MSFM-P3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

75 W
极性/通道类型

N-CHANNEL
连续放电电流(ID)

2.8 A
JEDEC-95代码

TO-257AB
漏极-源极导通最大电阻

1.6 Ω
漏源击穿电压

500 V
DS 击穿电压-最小值

500 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
通态电阻

10.5 Ω
达到SVHC

compliant

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