Infineon IRFY9130C

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Number of Elements

1

Package Description

FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRFY9130C

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.37

Drain Current-Max (ID)

11.2 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

-11.2 A

JESD-30代码

S-XSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75 W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

-100 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

-7.1 A

JEDEC-95代码

TO-257AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.3 Ω

漏源击穿电压

-100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

通态电阻

300 mΩ

辐射硬化

无