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技术文档
型号
IRG4BC30S-STRR
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRG4BC30S-STRR
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRG4BC30S-STRR datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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IRG4BC30S-STRR详情
技术参数
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Infineon IRG4BC30S-STRR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
SMD
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
有
MSL
1
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
40 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1550 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.11
Part Package Code
D2PAK
系列
LTC26xx
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
标准速度
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
-
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
决议案
8bit
最大耗散功率(Abs)
100 W
集电极电流-最大值(IC)
34 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
最大下降时间 (tf)
590 ns
达到SVHC
compliant
技术文档: Infineon IRG4BC30S-STRR.
IRG4BC30S-STRR拓展信息
公司资质
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