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技术文档
型号
IRGP35B60PD
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRGP35B60PD
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRGP35B60PD datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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IRGP35B60PD详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRGP35B60PD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
34 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
142 ns
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Rise Time-Max (tr)
11 ns
Risk Rank
5.07
Part Package Code
TO-247AC
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
最大耗散功率(Abs)
308 W
集电极电流-最大值(IC)
60 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V
最大下降时间 (tf)
16 ns
技术文档: Infineon IRGP35B60PD.
IRGP35B60PD拓展信息
公司资质
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