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技术文档
型号
IRGPH50FD2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRGPH50FD2
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRGPH50FD2 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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IRGPH50FD2详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRGPH50FD2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
THT Axial
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
型芯材料
Ferrite
MSL
n/a
Shield
Unshielded
RoHS
有
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
140 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1300 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.91
Part Package Code
TO-247AC
操作温度
-55...+125°C
系列
HBCC
容差
±20 %
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
FAST
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
电感,电感
0,7 uH
测试频率
1 MHz
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
大小
D4,5x13mm
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
自谐振频率
- MHz
最大耗散功率(Abs)
200 W
集电极电流-最大值(IC)
45 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.9 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5 V
环境耗散-最大值
最大下降时间 (tf)
470 ns
特征
-
技术文档: Infineon IRGPH50FD2.
IRGPH50FD2拓展信息
公司资质
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