Infineon IRGTDN200M06

表面安装

NO

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

IRGTDN200M06

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.66

附加功能

低导通损耗

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-MUPM-X7

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极电流-最大值(IC)

260 A

集电极-发射器电压-最大值

600 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

2.7 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5 V

环境耗散-最大值

1000 W

达到SVHC

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