注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
IRGTDN200M06
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRGTDN200M06
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IRGTDN200M06 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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IRGTDN200M06详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRGTDN200M06重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
POST/STUD MOUNT, R-MUPM-X7
Package Style
POST/STUD MOUNT
Package Body Material
METAL
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.66
附加功能
低导通损耗
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-MUPM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
260 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.5 V
环境耗散-最大值
1000 W
达到SVHC
unknown
技术文档: Infineon IRGTDN200M06.
IRGTDN200M06拓展信息
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