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技术文档
型号
IRH93250
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IRH93250
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
-200V 100kRad Hi-Rel Single P-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-204AE package, TO-204AE-2
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IRH93250详情
技术参数
PDF文档
Infineon IRH93250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-CBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.92
Part Package Code
BFM
Drain Current-Max (ID)
14 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
HIGH RELIABILITY
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
O-CBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-204AE
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.33 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
技术文档: Infineon IRH93250.
IRH93250拓展信息
公司资质
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