Infineon IRHF58Z30

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Dimensions

60x20mm

RoHS

有

Package Description

TO-39, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHF58Z30

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.18

Drain Current-Max (ID)

12 A

系列

MB60201

JESD-609代码

e0

终端

Leads

ECCN 代码

EAR99

类型

Axial

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

速度

4 500 RPM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AF

气流

39,08 m3/h

噪音

33,5 dBA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

静态压力

4,57 mm H2O

漏极-源极导通最大电阻

0.045 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

520 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25 W

电源

1,62 W

知识产权评级

-

达到SVHC

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