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Infineon IRHG567110SCS

Name: IRHG567110SCS
Brand: Infineon
SKU: 1211-IRHG567110SCS
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRHG567110SCS

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IRHG567110SCS

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.29ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB,

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IRHG567110SCS Infineon Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.29ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB,

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IRHG567110SCS详情

技术参数

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Infineon IRHG567110SCS重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

14
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

IN-LINE
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

IRHG567110SCS
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

4
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.34
Drain Current-Max (ID)

1.6 A
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

DUAL
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-CDIP-T14
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
JEDEC-95代码

MO-036AB
漏极-源极导通最大电阻

0.29 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6.4 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
雪崩能量等级（Eas）

130 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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