Infineon IRHLG77110

表面安装

NO

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

MSL

-

Package

塑料外壳

RoHS

有

Package Description

HERMETIC SEALED PACKAGE-14

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHLG77110

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.4

Drain Current-Max (ID)

1.8 A

操作温度

-40...+85°C

系列

TSRN

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

不合格

输出类型

single

配置

SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

1 A

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-036AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.22 Ω

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.4 W

电源

9 W

达到SVHC

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