IRHLG77214详情
Infineon IRHLG77214重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
36
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PDIP-T14
Package Style
IN-LINE
Drain Current-Max (ID)
0.8 A
Risk Rank
5.83
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
4
Manufacturer
International Rectifier
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IRHLG77214
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
JESD-30代码
R-PDIP-T14
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-036AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.8 A
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
3.2 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
50.4 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.4 W
达到SVHC
compliant
IRHLG77214拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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