Infineon IRHM7150

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRHM7150

Turn-on Time-Max (ton)

235 ns

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

International Rectifier

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

7.7

Part Package Code

TO-254AA

Drain Current-Max (ID)

34 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

辐射硬化

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-254AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34 A

漏极-源极导通最大电阻

0.076 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

136 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

环境耗散-最大值

150 W