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Infineon IRHN4230

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对比

型号

IRHN4230

品牌

utmel 编号

1211-IRHN4230

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

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IRHN4230

IRHN4230 Infineon Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

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IRHN4230详情

技术参数

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Infineon IRHN4230重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
RoHS

Compliant
包装

Bulk
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
功率耗散

75 W
连续放电电流(ID)

6 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

200 V
辐射硬化

有

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